اثرات ترمو الکتریک در نانو ساختارهای ناهم گون ابررسانا بر پایه ی گرافین

گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد گاف در گرافین پیشنهاد شده است و آزمایش ها نیز باز شدن گاف در نوار انرژی را تأیید کرده اند. با توجه به اهمیت گرافین در وسایل الکترونیکی، شناخت خواص ترابردی این ماده اهمیت ویژه ای پیدا می کند. در این بین، اثرات متقابل رسانش های گرمایی و الکتریکی نیز حائز اهمیت خواهد بود. در این پایان نامه، اثر دما در ایجاد گاف بررسی شده است و مشخصاً ضریب سیبک یک سیستم بالستیک پیشنهادی بر پایه ی گرافین برای کاربرد این ابزار جهت خنک سازی نانوساختارهای گوناگون مورد مطالعه قرار می گیرد.